Vakar prasidėjo 25-oji Kinijos tarptautinė aukštųjų technologijų mugė, kurios metu buvo pristatyti naujoviški technologijų taikymo pasiekimai įvairiose pramonės šakose. Šendženo technologijos universitete taip pat eksponuojama daugybė didelio tikslumo „juodųjų mokslo ir technologijų“ produktų, visiškai demonstruojančių mokyklų mokytojus ir studentus, kurie daugiausia dėmesio skiria dirbtiniam intelektui, naujoms medžiagų technologijoms, protingai medicininei sveikatai, daiktų internetui, energijos kaupimui. baterijas ir kitas pagrindines pramonės sritis, stiprinti pramonės, akademinės bendruomenės ir mokslinių tyrimų bendradarbiavimą bei skatinti vaisingus mokslo ir technologijų inovacijų rezultatus.
Lapkričio 16 d. į mokyklos stendą atvyko Šendženo technologijos universiteto prezidentas Ruanas Shuangchenas, kuris po vieną stebėjo mokyklos eksponatų rezultatus ir atidžiai klausinėjo apie dabartinę projekto tyrimų būklę, technologinių inovacijų akcentus ir jų pritaikymą. , jis skatino mokslininkus atkakliai stengtis spartinti mokslinių tyrimų rezultatų industrializaciją, kėlė aukštesnius reikalavimus mokyklos aukštųjų ir naujų technologijų rezultatų transformavimui ir pritaikymui.
At the same time, new good news came from the university's scientific research work. Recently, the national key research and development project team led by Prof. Ruan Shuangchen of Shenzhen University of Technology, under the support of the project of "Crystal Thin Wafer Processing and Preparation of New Generation of Gain Devices" of the National Key Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology, has made important progress in research on the key scientific issues of crystal thin wafer processing and preparation of new generation of gain devices, and is the first one to realize the breakthrough of We are the first one in China to realize the crystal package of Yb:YAG wafer with diameter >20 mm, ir suprojektuokite 48-taktinę kilovatų klasės siurbimo sistemą.
Didelės galios itin greiti lazeriai naudojami pažangioje gamyboje, informacinėje, mikroelektronikoje, medicinoje, energetikoje, karinėje ir kitose srityse, o susiję moksliniai ir technologiniai tyrimai yra būtini skatinant nacionalinių strategijų kūrimą. Lazerio stiprinimo įrenginys yra pagrindinė didelės galios itin greito lazerio medžiaga, dėl kurios labai rūpėjo visos pasaulio šalys. Plonos plėvelės lazeriai, pasižymintys puikia pluošto kokybe ir dideliu optinio-optinio konversijos efektyvumu, buvo plačiai naudojami daugelyje sričių, tokių kaip pramoninė gamyba ir pagrindiniai moksliniai tyrimai. Tačiau pagrindinių pagrindinių technologijų, tokių kaip tikslus plonasluoksnių kristalų apdorojimas, šilumos šalinimo sistemų projektavimas ir pakavimas bei stiprinimo įrenginių paruošimas, trūkumas labai apribojo tolesnę didelės galios plonasluoksnių lazerių plėtrą Kinijoje.
Remdamasis Guangdongo universitetų, Šendženo pagrindine lazerių inžinerijos laboratorija, Kinijos-Vokietijos intelektualiosios gamybos institutu ir Inžinerinės fizikos koledžu, Šendženo technologijos universitetas vykdo plonųjų dribsnių tyrimus, remdamasis pažangiosios optinės tiksliosios gamybos technologijos laboratorija. lazerinė technologija nuo 2021 m., o 2022 m. pradžioje pritaikė pačių sukurtus plonų dribsnių kristalus, kurių skersmuo 12 mm, ir regeneracinio stiprinimo technologiją, kad realizuotų didelės galios regeneracinį rezonanso ertmės stiprinimą per chromatinės dispersijos kompensavimą ir valdymą. Realizuojamas didelės galios regeneracinės stiprinimo rezonansinės ertmės dispersijos kompensavimas ir netiesinis efektas, vieno impulso energijos lazerio išvestis＞500μJ, impulso plotis＜7,5ps, vidutinė galia＞200W, ypač puikus spindulio kokybės M2＜1.1 ir optinio į optinį konversijos efektyvumas＞50%, o tai sudaro tvirtą pagrindą efektyviam netiesiniam dažnio konvertavimui už ertmės ribų.
The project team adopted wavelength-locked 969nm "zero-phonon line" pumping to realize the highest continuous output power >1300 W, maksimalus konvertavimo iš optinio į optinį efektyvumą beveik 80%, o jo puikus veikimas padėjo svarbius pagrindus tiriant kilovatų klasės vidutinės galios ir itin sparčius 100 mJ plonasluoksnius lazerius.
a) 1000W@969nm siurbimas (b) 2000W@969nm siurbimas
Vykdydama pagrindinius Mokslo ir technologijų ministerijos MTEP projektus, projekto komanda yra orientuota į nacionalinį pramonės saugumą ir pagrindinius inžinerinės statybos poreikius, didelės galios lazerinių medžiagų ir prietaisų taikymo proveržius pagrindines pagrindines technologijas, proveržius inovacijų grandinėje. , strateginio didelio galingumo lazerinių kristalų paruošimo ir bendrų pagrindinių technologijų taikymas kiekvienoje grandyje, siekiant pagerinti Kinijos pagrindines lazerinių kristalų medžiagas ir įrenginius informacijos, energijos, transporto, aukščiausios klasės įrangos ir kitose nepriklausomų valdymo galimybių srityse. , aptarnauti naują energiją, 3C elektroniką ir aukščiausios klasės įrangą. Tai pagerins pagrindinių lazerinių kristalų medžiagų ir prietaisų nepriklausomo valdymo galimybes informacijos, energijos, transporto ir aukščiausios klasės įrangos srityse Kinijoje ir padės plėtoti naują energiją, 3C elektroniką, aukščiausios klasės gamybą ir kitus aukštos klasės įrenginius. - technologijų pramonė.
